GaN 方框圖

設計人員在航空電子設備、雷達、電子戰干擾器、通信基礎設施設備、衛星、軍事系統、測試和測量儀器儀表以及射頻檢測方面面臨著尺寸、重量和功率(SWaP)的重大需求。

GaN克服了LDMOS的頻率限制(通常限制在3-4 GHz以下),將頻率范圍擴展到50 GHz甚至更高。我們的開發工作針對不同頻段的不同應用。我們正在利用GaN技術生產高度差異化的射頻和微波功率放大器。這使我們的產品能夠達到更高的輸出功率水平(> 35瓦CW連續波),提高效率(> 50%),并擴展頻率帶寬(2至20 GHz)。

右圖說明了相對于其他技術而言,GaN技術最適合用于實現更高功率和擴展頻率。

GaN 放大器

文章:
GaN 突破障礙 - 射頻功率放大器實現寬帶和高性能

隨著具有更短的柵極長度 GaAs 和 GaN 晶體管的出現,再加上改進的電路設計技術,開發出新的器件,并可輕松地在毫米波頻率中運行,開啟了十年前難以實現的新應用。本文將簡要描述實現這些發展的半導體技術的狀態、實現最佳性能的電路設計考慮因素,以及展示當今技術的 GaAs 和 GaN 寬帶功率放大器(PA)的示例。

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GaN Block Diagram

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